Статті

Назва статті

АМПЛІТУДНА ХАРАКТЕРИСТИКА ФОТОВІДГУКУ КРЕМНІЄВИХ ФОТОЕЛЕКТРОННИХ ПОМНОЖУВАЧІВ

Номер віснику

22

DOI:

10.36994/2707-4110-2019-1-22-03

Автори

Асаёнок М. А., Білоруська державна академія звязку, Мінськ, Республіка Білорусь. ama-rul@mail.ru Зєнєвіч А. О., д.т.н., проф., Білоруська державна академія звязку, Мінськ, Республіка Білорусь. a.zenevich@bsac.by Новіков Е. В., к.т.н., доц., Білоруська державна академія звязку, Мінськ, Республіка Білорусь. e.novikov@bsac.by

Ключові слова

кремнієвий фотоелектронний помножувач, середня амплітуда фото відгуку

Анотація

В даний час в багатьох додатках необхідні фотоприемники, які забезпечують реєстрацію оптичного випромінювання в широкому діапазоні інтенсивностей і дозволяють поєднувати два режими роботи: струмовий і рахунок фотонів. До таких приладів можна віднести кремнієві фотоелектронні помножувачі (Si-ФЕП), що мають ряд переваг в порівнянні з електровакуумними фотоумножителями і лавинними фотоприймачами. Однак вплив на характеристики фотооткліка Si-ФЕП таких важливих факторів як напруга живлення і температура вивчено недостатньо. В роботі досліджено вплив цих факторів на амплітудні параметри фотооткліка Si-ФЕП. Представлена ​​структурна схема експериментальної установки, за допомогою якої проводилися вимірювання характеристик фотооткліка Si-ФЕП зі структурами n + -n-p + і p + -p-n +, що випускаються ВАТ «Інтеграл» (Республіка Білорусь). Представлені залежності середньої амплітуди фотооткліка від напруги живлення і температури кремнієвих фотопомножувачів для різних довжин хвиль оптичного випромінювання. Отримано, що при впливі на Si-ФЕП оптичними імпульсами з однаковими тривалістю і енергетичної експозицією в умовах однакової температури при одному і тому ж перенапруженні амплітуда фотооткліка була більшою для Si-ФЕП зі структурою p + -p-n + незалежно від довжини хвилі оптичного випромінювання. Встановлено, що при зміні перенапруги зростання амплітуди фотооткліка спостерігається тільки в діапазоні перенапруг ΔU = 0  3 В для всіх досліджуваних Si-ФЕП незалежно від довжини хвилі реєстрованого оптичного випромінювання і температури. Визначено, що зменшення температури призводило до збільшення амплітуди імпульсів фотооткліка. Найбільш сильно залежність амплітуди фотооткліка від температури виявлялася для Si-ФЕП зі структурою p + -p-n +. Показано, що залежно середньої амплітуди фотооткліка Si-ФЕП від енергетичної експозиції мають лінійний ділянку, протяжність якого залежить від довжини хвилі реєстрованого оптичного випромінювання.