АМПЛИТУДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТООТКЛИКА КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ
Ключевые слова:
кремниевый фотоэлектронный умножитель, средняя амплитуда фотооткликаАннотация
В настоящее время во многих приложениях необходимы фотоприемники, которые обеспечивают регистрацию оптического излучения в широком диапазоне интенсивностей и позволяют сочетать два режима работы: токовый и счет фотонов. К таким приборам можно отнести кремниевые фотоэлектронные умножители (Si-ФЭУ), имеющие ряд преимуществ по сравнению с электровакуумными фотоумножителями и лавинными фотоприемниками. Однако влияние на характеристики фотоотклика Si-ФЭУ таких важных факторов как напряжение питания и температура изучено недостаточно. В работе исследовано влияние этих факторов на амплитудные параметры фотоотклика Si-ФЭУ. Представлена структурная схема экспериментальной установки, с помощью которой проводились измерения характеристик фотоотклика Si-ФЭУ со структурами n+-n-p+ и p+-p-n+, выпускаемых ОАО «Интеграл» (Республика Беларусь). Представлены зависимости средней амплитуды фотоотклика от напряжения питания и температуры кремниевых фотоумножителей для различных длин волн оптического излучения. Получено, что при воздействии на Si-ФЭУ оптическими импульсами с одинаковыми длительностью и энергетической экспозицией в условиях одинаковой температуры при одном и том же перенапряжении амплитуда фотоотклика была большей для Si-ФЭУ со структурой p+-p-n+ независимо от длины волны оптического излучения. Установлено, что при изменении перенапряжения рост амплитуды фотоотклика наблюдается только в диапазоне перенапряжений ΔU = 0 ¸ 3 В для всех исследуемых Si-ФЭУ независимо от длины волны регистрируемого оптического излучения и температуры. Определено, что уменьшение температуры приводило к увеличению амплитуды импульсов фотоотклика. Наиболее сильно зависимость амплитуды фотоотклика от температуры проявлялась для Si-ФЭУ со структурой p+-p-n+. Показано, что зависимости средней амплитуды фотоотклика Si-ФЭУ от энергетической экспозиции имеют линейный участок, протяженность которого зависит от длины волны регистрируемого оптического излучения.
